Samsung bắt tay sản xuất chip nhớ 256 GB cho di động

VOV.VN -Samsung giới thiệu chip nhớ 256 GB cho thiết bị di động vào tháng 2 và nay bắt đầu đi vào sản xuất.

Các chip này sử dụng chuẩn UFS mới nhất và sẽ thách thức ổ đĩa SSD SATA sử dụng trong máy tính – Samsung cho biết, tốc độ đọc lên đến 850 MB/giây và tốc độ ghi 260 MB/giây (liên tục).

Chip nhớ 256 GB của Samsung.

Samsung cho biết: “Với thiết kế chip cung cấp mật độ bộ nhớ cao, 256 GB UFS 2.0 sẽ có tốc độ ghi nhanh gấp đôi so với một ổ SSD SATA, góp phần làm thay đổi tương lai truyền dữ liệu di động. Chúng tôi quyết tâm đẩy nhanh sự cạnh tranh bằng cách liên tục nâng cao hiệu suất và năng lực lưu trữ trong cả ba mảng kinh doanh, gồm ổ SSD NVMe, ổ SSD ngoài và UFS.

Hiển nhiên là đã quá muộn cho Galaxy S7, nhưng có thể Galaxy Note 6 mới sẽ sử dụng chip hiệu suất cao này? Chưa chắc, bởi mới đây Samsung đã mở lại khe cắm thẻ microSD và bán một thẻ microSD 200 GB với giá chỉ 80 USD (thậm chí có lúc 60 USD).

Galaxy Note 6 dự kiến ra mắt vào nửa cuối năm 2016.

Mời quý độc giả theo dõi VOV.VN trên

Tin liên quan

Samsung không hỗ trợ Quick Charge 3.0 cho Galaxy S7/S7 edge
Samsung không hỗ trợ Quick Charge 3.0 cho Galaxy S7/S7 edge

VOV.VN - Mặc dù trang bị chip xử lý cao cấp Snapdragon 820, nhưng Galaxy S7 và S7 edge lại không hỗ trợ chuẩn sạc không dây tốt nhất của Qualcomm.

Samsung không hỗ trợ Quick Charge 3.0 cho Galaxy S7/S7 edge

Samsung không hỗ trợ Quick Charge 3.0 cho Galaxy S7/S7 edge

VOV.VN - Mặc dù trang bị chip xử lý cao cấp Snapdragon 820, nhưng Galaxy S7 và S7 edge lại không hỗ trợ chuẩn sạc không dây tốt nhất của Qualcomm.